저희 R&D 팀은 NAIT XS 3의 성능을 크게 개선했습니다. 전압 게인 스테이지의 속도를 두 배로 높여 스피커 출력 스테이지가 반응할 수 있는 속도를 두 배로 높였습니다. 두 번째 게인 스테이지 트랜지스터를 최적화하여 캐스코드 스테이지 트랜지스터가 필요하지 않아 앰프 안정화가 덜 필요하고, 슬루율이 두 배가 되며, 음질이 향상되었습니다.

소니의 포노 회로 토폴로지는 3단계로 구성되어 뛰어난 노이즈 성능, 오디오 대역을 넘어선 확장된 RIAA 이퀄라이제이션, 뛰어난 과부하 헤드룸을 제공합니다. 모든 RIAA 이퀄라이제이션 커패시터는 낮은 마이크 픽업과 뛰어난 과도 성능을 제공하기 위해 스루홀 마운트 필름 설계로 되어 있습니다. 입력 임피던스는 470pF 정전 용량 부하와 병렬로 47kΩ이며, 이득은 5mV 무빙 자석 카트리지에 적합합니다.