Il nostro team di ricerca e sviluppo ha apportato significativi miglioramenti alle prestazioni del NAIT XS 3. Abbiamo raddoppiato la velocità dello stadio di guadagno di tensione, raddoppiando così la velocità di reazione dello stadio di uscita del diffusore. I transistor del secondo stadio di guadagno sono stati ottimizzati, eliminando la necessità di uno stadio a cascata, il che significa che è necessaria una minore stabilizzazione dell'amplificatore, raddoppiando la velocità di rotazione e migliorando la qualità del suono.

La topologia del circuito fono è composta da tre stadi, il che consente di ottenere prestazioni di rumore eccezionali, un'equalizzazione RIAA estesa oltre la banda audio e una grande capacità di sovraccarico. Tutti i condensatori di equalizzazione RIAA sono montati a film con foro passante per garantire una bassa captazione microfonica ed eccellenti prestazioni transitorie. L'impedenza di ingresso è di 47kΩ in parallelo con un carico capacitivo di 470pF e il guadagno è perfetto per le testine a magnete mobile da 5mV.